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基本情報
| モデル番号。 | F8n60 |
| バッチ番号 | 2021年 |
| ブランド | 幅×奥行き |
| 輸送パッケージ | チューブ |
| 商標 | WXDH |
| 起源 | 無錫、中国 |
| HSコード | 8541290000 |
製品説明
| 説明 |
| これらの N チャネル エンハンスド VDMOSFET は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。 RoHS規格に準拠しています。 |
| パラメータ | シンボル | 価値 | ユニット | ||
| 8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60 | F8N60 | ||||
| 最大 Drian ソース DC 電圧 | VDS | 600 | V | ||
| 最大ゲート・ドレイン電圧 | VGS | ±30 | V | ||
| ドレイン電流(連続) | 私D(T=25℃) | 7.5 | あ | ||
| (T=100℃) | 4.8 | あ | |||
| ドレイン電流(パルス) | 私DM | 30 | あ | ||
| シングルパルスアバランシェエネルギー | Eとして | 400 | mJ | ||
| ピークダイオードリカバリdv/dt | dv/dt | 5 | V/ns | ||
| 総損失 | Ta=25℃ | Pto | 2 | 2 | W |
| TC=25℃ | Pto | 100 | 35 | W | |
| 接合部温度 | Tj | 150 | ℃ | ||
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